[1]但迪迪,张德银,等.不同下电极对 Sol - Gel LiT aO 3 薄膜性能的影响[J].常州大学学报(自然科学版),2008,(01):5-8.
　DA N Di - di,Z H A NG De - yi n,LI Kun,et al.Effect of Different Electrodes on the Ferroelectric Properties of Sol - Gel LiTaO3 Films[J].Journal of Changzhou University(Natural Science Edition),2008,(01):5-8.
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不同下电极对 Sol - Gel LiT aO 3 薄膜性能的影响()
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常州大学学报(自然科学版)[ISSN:2095-0411/CN:32-1822/N]

卷:
期数:
2008年01期
页码:
5-8
栏目:
材料科学与工程
出版日期:
2008-03-25

文章信息/Info

Title:
Effect of Different Electrodes on the Ferroelectric Properties of Sol - Gel LiTaO3 Films
作者:
但迪迪1 ;  张德银1 ;  2 ;  李 坤 1 ;  谢太斌1 ;  李金华1
1. 江 苏工业学院 功能材料实验室 , 江苏 常州 21 31 64 ; 2. 电子科技大学 机电工程学院 , 四川 成都 61 0054
Author(s):
DA N Di - di1 ;  Z H A NG De - yi n1 ;  2 ;  LI Kun1 ;  XIE Tai - bin 1 ;  LI Jin - hua1
1 . Laboratory of F unctional M aterials , Jiangsu Poly technic U niversity , Changzhou 2131 64 , China ; 2 . S chool of M echatro nics Engineering , U niv ersity o f Electroni c Science and Technology , Cheng du 610054
关键词:
铁电薄膜 ;  钽酸锂 ;  电极 ;  Sol- Gel
Keywords:
fer ro electric thin film ;  lithium tantali te ;  electrode ;  Sol - Gel method
分类号:
TB 43 ; TM 304. 9
文献标志码:
A
摘要:
用醇盐制备了 钽酸锂 ( LiT aO 3) 溶胶 , 分别在 Pt 、 I TO 、 TiN 衬 底上旋 转涂胶 成膜 。 经 快速热 退火后 , 用 X 射线衍 射 (X RD) 测试了 膜的结晶取向, 用 PLC - 100 铁电材料分析仪测 试膜的铁 电特性 , 用 TH 2818 测试薄 膜的介电 常数及损 耗。 结 果表明 , 3 种衬底上制备出的薄膜在 650 ℃均可达到充分结晶 , 薄 膜的相对介电常 数约 160 ; 在 10 V 时 , Pt 、 IT O 、 TiN 下 电 极上的剩余极化强度分别为 8. 42 , 5. 21 和 5. 76 μ C/ cm2 ; 在 5 V 时的漏 电分别为 2. 71 × 10 - 7 , 9. 24 × 10- 7 和 2. 19 × 10- 7 A/ cm2 ; 介电损耗分别为 0. 02 , 0. 18 和 0. 31 。 讨论了 衬底对薄膜性能影响的原因 。
Abstract:
Li TaO3 ferroelectrtic thin films were prepared by spin coating Sol - Gel Li TaO 3 on the ITO , Pt and TiN substrates . The prope rties of Li TaO3 films after Rapid Thermal A nneali ng (RTA) were tested by X - ray Diffracti on (XRD) for orientation of crystallization , by Radiant technology PLC - 100 for fe rroe- lectrichy steresis loops , the remnant polarization , by TH 281 8 for dielectric constant and loss . The re- sults show that Sol - Gel Li TaO3 films can crystallize well based on the three substrates above mentioned at 650 ℃ . Tested on 5 kH z , the relative dielectric constant and loss LiTaO 3 at 5kH z for Li TaO3 films oTiN substrate are about 57. 8 , 0. 395 respectively .

参考文献/References:

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备注/Memo

备注/Memo:
作者简介 : 但迪迪 ( 1983 -) , 女 , 湖北荆州人 , 硕士生 ; 通讯联系人 : 李金华
更新日期/Last Update: 2008-03-25